穿透耗尽层的自旋注入：自旋极化 p-n 结及太阳能电池理论
材料科学
2009-11-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们发展并数值求解了一个用于自旋电荷在自旋极化 p-n 结中的漂移扩散模型，基于 GaAs 的真实材料参数。我们证明了通过少数载流子和多数载流子均可将自旋极化注入耗尽层，从而使得包括自旋极化太阳能电池和双极性晶体管在内的全半导体器件可行。自旋极化 p-n 结允许实现自旋极化电流产生、自旋放大、对自旋极化的电压控制，以及自旋扩散距离的显著延长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103473,
title = {Spin injection through the depletion layer: a theory of spin-polarized p-n junctions and solar cells},
author = {Igor Zutic and Jaroslav Fabian and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103473},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures