Ni掺杂CdO薄膜的半导体-金属转变
材料科学
2019-04-29 v1
摘要
本研究对溶胶-凝胶法制备的纯CdO及Ni掺杂CdO（NDO）薄膜进行了电阻率-温度测量。纯CdO薄膜在整个温度范围内呈现负温度系数电阻率（TCR）的半导体行为，主要归因于载流子依赖于浓度的热激活机制。NDO薄膜的半导体-金属转变（SMT）通过所涉及的晶界、离子杂质、声子散射与载流子激活的共同作用得以阐明。
引用
@article{arxiv.1904.11683,
title = {Semiconductor to metal transition for Ni doped CdO thin films},
author = {Arkaprava Das and Ashish Kumar and Vijay Soni and Soumen Kar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.11683},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 1 fugure, 1 table, Accepted in Springer conference proceeding