利用硬 X 射线光电子能谱研究氮化对 SiC/SiO$_2$ 结构的影响
材料科学
2020-04-22 v2
摘要
SiC 将开启电力电子的新时代，影响从电动汽车到可再生能源的广泛能源技术。其物理特性在多方面优于硅，包括带隙、击穿场和热导率。SiC 基功率半导体器件进一步发展的主要挑战在于 SiC 与其本征介电质 SiO 之间界面的质量。高温氮化工艺可极大改善界面质量并最终提升器件性能，但其潜在化学过程仍知之甚少。在此，我们呈现一项能量依赖的硬 X 射线光电子能谱（HAXPES）研究，非破坏性地探测在不同气氛中处理的器件叠层中的 SiC 和 SiO 及其界面。我们成功结合实验室与同步辐射 HAXPES，为界面缺陷的化学性质及其通过氮化工艺的钝化提供独特见解。
关键词
引用
@article{arxiv.1912.06592,
title = {Effects of nitridation on SiC/SiO$_2$ structures studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy},
author = {Judith Berens and Sebastian Bichelmaier and Nathalie K. Fernando and Pardeep K. Thakur and Tien-Lin Lee and Manfred Mascheck and Tomas Wiell and Susanna K. Eriksson and J. Matthias Kahk and Johannes Lischner and Manesh V. Mistry and Thomas Aichinger and Gregor Pobegen and Anna Regoutz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.06592},
year = {2020}
}