碳化硅湿法氧化中负固定电荷的本征起源
材料科学
2012-06-01 v1
摘要
我们基于第一性原理计算证明，SiO 中类碳酸根基团的形成可能是 SiC 热氧化中负固定电荷的本征起源。我们发现负固定电荷的两个可能起源是 SiO 中的 O-孤对电子态和带负电的 CO 离子。这种 CO 离子的形成是由于 SiO 中存在残留 C 原子（预计从 SiC 与 SiO 界面发射出来）以及湿法氧化过程中 H 原子的掺入所致。
引用
@article{arxiv.1204.5556,
title = {Intrinsic Origin of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for Silicon Carbide},
author = {Yasuhiro Ebihara and Kenta Chokawa and Shigenori Kato and Katsumasa Kamiya and Kenji Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.5556},
year = {2012}
}