界面处的偶极子散射：SiC MOSFET中观测到低迁移率的起源
应用物理
2022-04-20 v1
摘要
在这项工作中，利用二维电子气的散射理论研究了SiC MOSFET中自由电子低迁移率的起源。我们首先确定声子散射和库仑散射都不可能是SiC MOSFET中观测到低迁移率的原因；我们通过将考虑这些效应后理论计算的迁移率与实验观测进行比较确立了这一事实。通过考虑SiC MOSFET中的阈值电压和迁移率的有效场依赖性，得出结论：主导机制的散射中心是电中性的并表现出短程散射势。通过考虑界面处中性缺陷周围的电荷分布，确立由缺陷诱导的电偶极子可作为短程散射势。我们随后假设界面存在高密度偶极子，计算了SiC MOSFET中的迁移率。所计算的偶极子散射限制迁移率显示出与实验结果中观测到的有效场依赖性相似的依赖关系。因此，我们得出结论：界面处高密度电偶极子诱导的散射是SiC MOSFET中低迁移率的主导原因。
引用
@article{arxiv.2201.03821,
title = {Dipole Scattering at the Interface: The Origin of Low Mobility observed in SiC MOSFETs},
author = {Tetsuo Hatakeyama and Hirohisa Hirai and Mitsuru Simetani and Dai Okamoto and Mitsuo Okamoto and Shinsuke Harada},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.03821},
year = {2022}
}
备注
16pages, 3 figures