通过 STM 光刻精细调控石墨烯纳米带的原子结构
介观与纳米尺度物理
2008-07-09 v1
摘要
纳米电子器件的实际实现面临两个主要挑战：建模单元的精确工程化以及其组装成功能电路。尽管碳纳米管具有卓越的电子性能，迄今为止仅实现了一些基础演示器件，且过程耗时。主要归因于纳米管缺乏选择性生长和可靠的装配工艺。然而，石墨烯提供了有吸引力的替代方案。本文报道了石墨烯纳米带（GNRs）和弯曲节点以纳米级精度进行图案化，具有明确的宽度和预定的晶体学取向，从而允许我们完全工程化其电子结构。通过扫描隧道显微镜（STM）光刻实现对这些带的原子结构和电子性质的研究。报告开辟了达0.5 eV 的约束间隙，使 GNR 基器件能够在室温下工作。该方法避免了装配纳米规模组件的困难，实现了作为室温亚声子电子器件的完整集成电路。
引用
@article{arxiv.0806.1662,
title = {Tailoring the atomic structure of graphene nanoribbons by STM lithography},
author = {Levente Tapaszto and Gergely Dobrik and Philippe Lambin and Laszlo P Biro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.1662},
year = {2008}
}
备注
8 pages text, 5 figures, Nature Nanotechnology, in press