Kekulé畸变石墨烯中应变导致的谷工程
介观与纳米尺度物理
2019-01-16 v1
摘要
石墨烯中的 Kekulé 键织构通过折叠布里渊区并将两个不等价的狄拉克点移至中心来修饰电子能带结构。这可以导致打开能隙(Kek-O)或将谷自由度与运动方向锁定(Kek-Y)。我们分析了单轴应变对两种织构下 Kekulé 畸变石墨烯能带结构的影响。采用紧束缚方法,我们通过考虑跳跃重整化及布里渊区相应的几何修正来引入应变。我们对色散关系进行了数值计算,并给出了低能极限下的解析表达式。我们的结果表明,由于赝自旋与赝磁应变势的耦合产生了类塞曼项,该耦合通过将谷沿相反方向移动远离布里渊区中心而使谷分离。对于 Kek-O 相,这导致打开能隙的 Kekulé 参数与关闭能隙的应变大小之间的竞争。而对于 Kek-Y 相,则表现为两个偏移狄拉克锥的叠加。由于超晶格倒易空间中狄拉克锥比本征石墨烯中靠近得多,我们提出将应变作为谷间散射的控制参数。
引用
@article{arxiv.1810.09421,
title = {Valley engineering by strain in Kekul\'e-distorted graphene},
author = {Elias Andrade and Ramon Carrillo-Bastos and Gerardo G. Naumis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09421},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 3 figures