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Kekul\'e-Y 键织构石墨烯超晶格中的 Floquet 工程谷拓扑电子学

介观与纳米尺度物理 2024-10-08 v1

摘要

Kekul\'e-Y (Kek-Y) 超晶格中的精细畸变将两个不等价的狄拉克锥(分别来自 KK 点和 KK^\prime 点)合并到六边形布里渊区中最高对称的 Γ\Gamma 点。在此我们报告,圆偏振光不仅在 Γ\Gamma 点打开了拓扑能隙,还消除了该点的谷简并。借助 Floquet 动力学并设计高频近似方案,我们提出偏振光的手性(左/右)为在 Kek-Y 形石墨烯超晶格中实现谷选择性圆二色性提供了可能。此外,非零贝里曲率和谷分辨陈数 CK/CK=+1/1\mathcal{C}_{K}/\mathcal{C}_{K^\prime}=+1/-1 的枚举使我们能够将两个伪自旋味(上/下)分配给两个谷。因此,上述观察证实了拓扑相变,表明在光子修饰的 Kek-Y 中易于实现谷量子反常霍尔(VQAH)态。这些发现进一步 manifested 非零光学谷极化,且在 Γ\Gamma 点达到最大。因此,本文提出了一种光学可切换的拓扑谷过滤器,这在不断发展的谷电子学领域令人向往。

关键词

引用

@article{arxiv.2401.09762,
  title  = {Floquet-Engineered Valley-Topotronics in Kekul\'e-Y Bond Textured Graphene Superlattice},
  author = {Sushmita Saha and Alestin Mawrie},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2401.09762},
  year   = {2024}
}

备注

10 pages, 6 figures