应变对石墨烯电子性质的影响
介观与纳米尺度物理
2010-02-25 v3 材料科学
摘要
我们分别展示了在单轴应变和各向同性应变下石墨烯电子性质的第一性原理计算。结果表明,除了一个非常窄的应变范围会打开一个微小的能隙外,半金属性质在高达30%的极大单轴应变下仍能保持。当沿特定方向的单轴应变增加时,平行于该方向的费米速度迅速减小并最终消失,而垂直于该方向的费米速度则增加多达25%。因此,小单轴应变下的低能性质可由广义外尔方程描述,而大应变下无质量电子与有质量电子共存。我们还预测,随着单轴应变和各向同性应变的增加,功函数会显著增大。因此,石墨烯中的均匀应变可被视为有效的电子标量势。
引用
@article{arxiv.0908.0977,
title = {Effects of Strain on Electronic Properties of Graphene},
author = {Seon-Myeong Choi and Seung-Hoon Jhi and Young-Woo Son},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0977},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 6 figures; Published version