硅掺杂石墨烯的丰富本质性质
材料科学
2019-10-14 v3
摘要
本文建立了一种基于第一性原理计算的理论框架，以充分探究单层石墨烯上硅原子化学修饰所导致的本质性质的剧烈变化。对于硅化学吸附与硅取代石墨烯，通过精细的评估与分析，深入研究了客体原子多样化的几何结构、硅与碳主导的能带、磁矩、电荷转移、空间电荷密度、自旋分布构型，以及原子与轨道投影态密度中的范霍夫奇点。这些基本性质足以确定关键的物理与化学图像，其中精确的多轨道杂化非常有助于理解多样现象，例如碳与硅共同主导的能带、半导体或金属性行为，以及狄拉克锥能带结构的存在/缺失。该发展模型可推广至其他新兴层状材料。
引用
@article{arxiv.1810.09635,
title = {Rich Essential Properties of Si-Doped Graphene},
author = {Duy Khanh Nguyen and Ngoc Thanh Thuy Tran and Godfrey Gumbs and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09635},
year = {2019}
}