SiC(0001)和Si(100)上石墨烯的中能离子散射
材料科学
2011-08-11 v1
摘要
利用高分辨率离子束分析对石墨烯进行深度剖析是分析单层厚度石墨烯的实用方法。能量分辨率不仅足以将石墨烯与下面的SiC区分开，而且通过使用同位素标记，可以标记由反应乙烯生成的石墨烯。此外，我们能够分析由氧化Si(100)衬底支撑的石墨烯，从而可以研究通过化学气相沉积在金属上生长并转移到硅上的石墨烯薄膜。这为探索石墨烯形成的基本原理引入了一种强大的方法。
引用
@article{arxiv.1102.0675,
title = {Medium Energy Ion Scattering of Gr on SiC(0001) and Si(100)},
author = {M. Copel and S. Oida and A. Kasry and A. A. Bol and J. B. Hannon and R. M. Tromp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0675},
year = {2011}
}