无序石墨烯反点器件的热电性质
介观与纳米尺度物理
2012-09-17 v1
摘要
我们计算了基于有限石墨烯反点晶格 (GALs) 并连接至完美石墨烯引线的器件的电子和热输运性质。我们采用基于-紧束缚模型、Brenner 势并运用递归格林函数的原子尺度方法。我们考虑了随机无序对电子和热输运性质的影响，并考察了通过调控无序来提升热电优值的潜力。我们提出了几种优化 GAL 系统输运性质的途径。最后，我们阐述了如何通过分子动力学模拟处理量子热输运问题，并将其与弹道极限下 GAL 系统的格林函数结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1209.3132,
title = {Thermoelectric properties of disordered graphene antidot devices},
author = {Tue Gunst and Jing-Tao Lü and Troels Markussen and Antti-Pekka Jauho and Mads Brandbyge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3132},
year = {2012}
}
备注
Conference Proceedings; 2012, 15th International Workshop on Computational Electronics (IWCE); 2012 15th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)