极紫外辐射诱导的单层石墨烯缺陷
材料科学
2014-01-13 v1
摘要
我们研究了极紫外(EUV)辐射诱导的单层石墨烯缺陷。分别研究了在石墨烯中诱导缺陷的两种机制：光子诱导的石墨烯与背景残余气体之间的化学反应，以及由光子和/或光电子诱导的键断裂导致的sp2键网络破坏。Raman光谱表明，EUV辐照后D峰强度随暴露腔中水蒸气分压的增加而增强。程序升温脱附(TPD)实验证明，EUV辐射导致石墨烯表面发生水分解。由水分解引起的石墨烯氧化是由光子和/或光电子诱导的水分解触发的。我们的研究表明，EUV光子断裂sp2键并形成sp3键，从而导致石墨烯缺陷。
引用
@article{arxiv.1401.2352,
title = {Extreme ultraviolet radiation induced defects in single-layer graphene},
author = {A. Gao and E. Zoethout and J. M. Sturm and C. J. Lee and F. Bijkerk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2352},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 8 figures