深紫外光处理垂直石墨烯中的杂乱电荷
介观与纳米尺度物理
2026-04-01 v1 材料科学
摘要
杂乱掩盖了二维电子系统中丰富物理现象，其中带电杂质往往是限制因素。在石墨烯中，自从引入硅氮烯封装（boron nitride encapsulation）十年来，降低杂乱的进展已趋于停滞。本文表明，短暂的深紫外光曝光通过中和硅氮烯内的带电杂质，显著提升了封装石墨烯的电子质量——通常提升两个数量级。照射后，常规石墨烯器件显示出众多分数量子霍尔态，包括非阿贝尔型候选者，常常揭示隐藏的超晶格亚带。即便是宏观不均匀的器件，在深紫外光照射后也能恢复并在毫特尔场显示出 Landau 量子化。该发现为获取极致质量的石墨烯提供了简单途径，使我们能够进一步探索相互作用驱动的、拓扑及其他量子现象。
引用
@article{arxiv.2603.29891,
title = {Deep-UV bleaching of charge disorder in encapsulated graphene},
author = {Daniil Domaretskiy and Ned Hayward and Van Huy Nguyen and Simone Benaglia and Kornelia Indykiewicz and Hadrien Vignaud and Jing Zhang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and V. I. Fal'ko and Laura Fumagalli and L. A. Ponomarenko and I. V. Grigorieva and A. K. Geim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.29891},
year = {2026}
}