极紫外辐射诱导的少层石墨烯缺陷
材料科学
2013-08-27 v1 化学物理
摘要
我们使用拉曼光谱表明，将少层石墨烯暴露于极紫外（EUV，13.5 nm）辐射（即相对较低的光子能量）会导致缺陷密度增加。此外，在H2背景中暴露于EUV辐射会提高石墨烯的剂量灵敏度，这是由于EUV诱导的氢等离子体引起的反应。X射线光电子能谱（XPS）结果显示，随着暴露剂量的增加，sp2杂化碳分数减少，而sp3杂化碳和氧化物分数增加。我们的实验结果证实，即使在还原环境中，氧化仍然是诱导缺陷的主要来源之一。
引用
@article{arxiv.1304.4395,
title = {EUV induced defects on few-layer graphene},
author = {A. Gao and P. J. Rizo and E. Zoethout and L. Scaccabarozzi and C. J. Lee and V. Banine and F. Bijkerk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4395},
year = {2013}
}
备注
5 pages 4 figures