衬底诱导的电子-声子相互作用在偏置石墨双层中的作用
介观与纳米尺度物理
2016-07-01 v1
摘要
石墨材料的双层在場效应晶体管（FETs）中具有潜在应用。在某些由绝缘石墨材料（如BN、ZnO和AlN）制成的离子双层间施加电势差可减小带隙尺寸，使其成为有用的半导体。另一方面，石墨烯双层在施加电场时会打开较小的半导体带隙。本文旨在研究衬底诱导的电子-声子相互作用（EPIs）在多大程度上改变这种带隙变化。我们采用微扰方法考察了几种晶格构型中的EPIs。EPIs对离子双层的典型影响是不利的带隙增宽。这种带隙变化的大小随晶格结构和偏置大小而显著变化。当偏置大于非相互作用带隙尺寸时，EPIs对带隙的影响最小，尤其是在具有 和 结构的构型中。因此，仔细选择衬底、晶格构型和偏置强度以最小化EPIs的影响，对于优化电子器件性能可能十分重要。本文中我们使用了与BN相关的参数。实际上，此处给出的结果广泛适用于其他石墨双层，并且可能在金属硫族化物双层（如MoS）中具有定性相似性，后者因其用于FETs已备受关注。
引用
@article{arxiv.1606.09523,
title = {Role of substrate induced electron-phonon interactions in biased graphitic bilayers},
author = {A. R. Davenport and J. P. Hague},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.09523},
year = {2016}
}