亚微米 InGaAs 线中自旋松弛抑制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了狭窄二维 n-InGaAs 通道中电子自旋动力学随通道宽度的变化。发现自旋松弛时间随通道宽度减小而增加，与基于受限维度 D'yakonov-Perel' 机制的最新理论预测一致。令人惊讶的是，尽管通道宽度已比电子平均自由程大一个数量级，松弛速率的抑制（预期在一维极限下出现）仍被观察到。我们发现自旋预cession 长度和通道宽度是解释这些结果的相关长度尺度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602155,
title = {Suppression of Spin Relaxation in Submicron InGaAs Wires},
author = {A. W. Holleitner and V. Sih and R. C. Myers and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602155},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures