2D 通道有限宽度内自旋松弛的逐步抑制
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
我们研究了在半导体狭窄 2D 条和中电子自旋极化的时空动力学，并探索了操控自旋松弛的能力。关于电子自旋以及自旋旋转机制的信息被纳入输运蒙特卡罗模拟程序。我们求解了一个模型问题，其中包含导带的线性 k 项分裂，负责 zinc-blende 半导体和异质结构中 D'yakonov-Perel' 自旋松弛机制。通过数值方法得到狭窄 2D 通道中电子旋群极化的衰减。对于非常宽的通道，得到传统的 2D 自旋松弛值。随着通道宽度减小，松弛时间以数量级迅速增加。意外的是，2D 与准 1D 行为之间的临界点出现在数十个电子平均自由路径处。因此，古典意义上的宽通道可以有效抑制电子自旋松弛。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910482,
title = {Progressive suppression of spin relaxation in 2D channels of finite width},
author = {A. A. Kiselev and K. W. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910482},
year = {2015}
}
备注
6 pages, RevTeX, 4 figures (1a, 1b, 1c, 2)