双层 MoS2 中层间激子的双轴应变调控
介观与纳米尺度物理
2020-06-15 v2
摘要
我们展示了双轴 MoS2 薄片的激子特征对双轴应变非常敏感。我们发现 A 激子和 B 激子的应变因子下限分别为 (-41 ± 2) meV/% 和 (-45 ± 2) meV/%，大于单层 MoS2 中的相应值。有趣的是，层间激子特征也随双轴应变发生移动，但其应变因子系统地大于 A 激子，为 (-48 ± 4) meV/%。我们将层间激子较大的应变因子归因于由泊松效应引起的可应变调控的范德瓦耳斯相互作用（层间距离随双轴应变而改变）。
引用
@article{arxiv.1908.03247,
title = {Biaxial strain tuning of interlayer excitons in bilayer MoS2},
author = {Felix Carrascoso and Der-Yuh Lin and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.03247},
year = {2020}
}
备注
3 figures in the main text, 14 figures in the Supp. Info