通过分子束沉积制备的铝硼氮化物薄膜
材料科学
2024-07-19 v2 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
我们报告了利用分子束沉积制备的 AlBN 薄膜，其生长在一种最近开发的用于 epitaxial 氮化物金属电极 Nb2N 上。虽然控制组 AlN 薄膜表现出标准的电容行为，但 AlBN 薄膜随着硼含量的增加观察到明显的铝电行为。测得的剩余极化强度 为 15 uC/cm2，致动场 为 1.45 MV/cm，这些数值小于最近通过溅射沉积制备的薄膜所报告的数值，由于 incomplete wake-up 受到电流泄漏的限制。由于 AlBN 保持了 AlN 的超宽能带隙，这与其他氮化物高介电常数材料和铝电材料不同，并且可以与 GaN 和 AlN 半导体相异长集成，其开发将为独特的电子、光子和存储器器件提供机会。
引用
@article{arxiv.2407.09740,
title = {Ferroelectric AlBN Films by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Chandrashekhar Savant and Ved Gund and Kazuki Nomoto and Takuya Maeda and Shubham Jadhav and Joongwon Lee and Madhav Ramesh and Eungkyun Kim and Thai-Son Nguyen and Yu-Hsin Chen and Joseph Casamento and Farhan Rana and Amit Lal and Huili and Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.09740},
year = {2024}
}
备注
DOI: 10.1063/5.0181217