铋硫族化物薄膜中的低温霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2016-12-23 v2 材料科学
摘要
铋硫族化物是研究最为广泛的 3D 拓扑绝缘体。通常，这些材料的薄膜在低温下因弱反局域化而表现出正磁阻。弱反局域化应导致电阻率在低温下降低；然而，实验中电阻率却随温度降低而升高。通过对若干薄膜（具有不同载流子密度、厚度和载流子迁移率）的输运测量，并采用纯唯象方法（不使用微观理论），我们表明低温下电阻率的升高伴随着霍尔系数的增大，这与扩散电子-电子相互作用修正机制一致。我们的数据合理地解释了低温电阻率回升现象。
引用
@article{arxiv.1607.02034,
title = {Low temperature Hall effect in bismuth chalcogenides thin films},
author = {A. Yu. Kuntsevich and A. A. Gabdullin and V. A. Prudkogliad and Yu. G. Selivanov and E. G. Chizhevskii and V. M. Pudalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.02034},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures