共线反铁磁体邻近效应拓扑绝缘体中的大反常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2021-07-07 v1
摘要
CrSb 因其高尼尔温度 700 K 和半金属特性，成为室温反铁磁自旋电子学应用的有吸引力的材料。我们使用 \emph{ab initio} 密度泛函理论研究了少层拓扑绝缘体薄膜上 CrSb 双层膜的磁性。我们发现薄膜的总反常霍尔电导率的本征部分非零，且近似量子化。少层拓扑绝缘体薄膜上 CrSb 双层的尼尔温度被发现约为孤立 CrSb 薄膜的两倍。由于 CrSb 的低费米能级态密度，可能通过引入无序实现霍尔量子化。因此，拓扑绝缘体表面的 CrSb 双层是高温度量子反常霍尔效应的有吸引力候选者。
引用
@article{arxiv.2107.02307,
title = {Large Anomalous Hall Effect in Topological Insulators Proximitized by Collinear Antiferromagnets},
author = {Chao Lei and Hua Chen and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.02307},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures