单层铜氧化物 Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+\delta}$ 中电子结构的掺杂演化：与其他单层铜氧化物的比较
超导电性
2008-04-19 v2 强关联电子
摘要
我们对单层铜氧化物 BiSrLaCuO (Bi2201) 进行了角分辨光电子发射和芯能级 X 射线光电子发射研究，揭示了从轻掺杂到最佳掺杂区域电子结构的掺杂演化。我们观察到了色散准粒子带的形成、费米“弧”向费米面的演化以及随空穴掺杂发生的化学势移动，这与其它铜氧化物中的现象一致。Bi2201 中的掺杂演化与 CaNaCuOCl (Na-CCOC) 相似，后者观察到化学势迅速向母体绝缘体的下 Hubbard 带移动；但与 LaSrCuO (LSCO) 截然不同，在 LSCO 中化学势不发生移动，而在轻掺杂区域费米能级附近已经形成了色散带和费米弧/面。利用紧束缚拟合对（潜在的）费米面形状和能带色散进行了定量分析，推导出的次近邻跃迁积分 也证实了其与 Na-CCOC 的相似性以及与 LSCO 的差异性。
引用
@article{arxiv.0801.0782,
title = {Doping evolution of the electronic structure in the single-layer cuprates Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+\delta}$: Comparison with other single-layer cuprates},
author = {M. Hashimoto and T. Yoshida and H. Yagi and M. Takizawa and A. Fujimori and M. Kubota and K. Ono and K. Tanaka and D. H. Lu and Z. -X. Shen and S. Ono and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.0782},
year = {2008}
}