空穴掺杂对Tl2201电子结构的影响
强关联电子
2009-11-11 v1 超导电性
摘要
我们讨论了单层TlCuBaCuO (Tl2201)的电子结构和费米面的掺杂依赖性。发现TlO带对掺杂特别敏感，随着空穴加入系统，这些带迅速向更高能量移动。在分析和模拟铜氧化物电子光谱时，应考虑这种超出刚性带图像的掺杂效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607132,
title = {Effect of Hole Doping on the Electronic Structure of Tl2201},
author = {S. Sahrakorpi and Hsin Lin and R. S. Markiewicz and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607132},
year = {2009}
}
备注
2 pages, Submitted to Physica C / Proceedings of the M2S-HTSC-VIII Conference