X 射线吸收光谱观测电子掺杂 LaOFeAs 的电子结构
超导电性
2009-01-29 v3 强关联电子
摘要
我们通过 X 射线吸收光谱 (XAS) 研究了新近发现的超导体 LaO_{1-x}F_xFeAs。通过将 O K-edge 与 LDA 计算进行比较，我们发现了良好的一致性，并能够解释电子掺杂引起的光谱结构及其变化。从该边谱得出的一个重要结果是，Hubbard U 被限制在不显著大于 1 eV 的数值范围内。通过实验 Fe L_2,3-edge 光谱和电荷转移多重态计算，我们获得了关于重要物理参数的进一步信息，如跳跃参数、电荷转移能量 Delta 以及在位 Hubbard U。此外，我们发现该系统具有很强的共价性并含有大量配体空穴。在 O K-和 Fe L_2,3-edge 光谱中观察到化学势的移动，这强调了能带效应在这些化合物中的重要性。
引用
@article{arxiv.0806.2625,
title = {On the electronic structure of electron doped LaOFeAs as seen by X-ray absorption spectroscopy},
author = {T. Kroll and S. Bonhommeau and T. Kachel and H. A. Duerr and J. Werner and G. Behr and A. Koitzsch and R. Huebel and S. Leger and R. Schoenfelder and A. Ariffin and R. Manzke and F. M. F. de Groot and J. Fink and H. Eschrig and B. Buechner and M. Knupfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2625},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures