Bi$_{2}$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+d}$ 中费米面拓扑与赝能隙的明确关联
超导电性
2018-06-06 v1
摘要
我们在同一单晶上通过电子拉曼散射（ERS）与角分辨光电子能谱（ARPES）研究过掺杂 BiSrCaCuO 中赝能隙的行为。两种技术均发现：与超导能隙不同，反键带相关的赝能隙在临界掺杂 p = 0.22 以上消失。同时，ARPES 测量表明反键带的费米面在 p 以下为空穴型，在 p 以上变为电子型。这揭示出 BiSrCaCuO 中赝能隙的出现依赖于费米面拓扑，更一般地，对赝能隙相的理论给出了强约束。
引用
@article{arxiv.1804.02453,
title = {Unambiguous connection between the Fermi surface topology and the pseudogap in Bi$_{2}$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+d}$},
author = {B. Loret and Y. Gallais and M. Cazayous and R. D. Zhong and J. Schneeloch and G. D. Gu and A. Fedorov and T. K. Kim and S. V. Borisenko and A. Sacuto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.02453},
year = {2018}
}
备注
6 pages , 3 figures