基于拓扑绝缘体 HgTe 量子点的量子应变传感器
介观与纳米尺度物理
2014-05-12 v1 量子物理
摘要
我们提出了 HgTe 量子点的电子性质理论，并提出了一种基于应变驱动的相变的应变传感器，该相变从具有反带结构和鲁棒拓扑保护量子边缘态的 HgTe 量子点转变为能隙中无边缘态的正常态。边缘态的存在或缺失导致跨越量子点的电导率具有大的开/关比，可通过调整源漏电压窗口中的导通通道数进行调节。使用八带 kp Luttinger 和 Bir-Pikus 哈密顿量描述了 HgTe 量子点作为尺寸和施加应变函数的电子性质，其中表面态通过 Luttinger 旋量的手性来识别，并通过对哈密顿量进行广泛的数值对角化获得。
引用
@article{arxiv.1405.2285,
title = {Quantum strain sensor with a topological insulator HgTe quantum dot},
author = {Marek Korkusinski and Pawel Hawrylak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2285},
year = {2014}
}
备注
4 figures