HgTe拓扑绝缘体量子点中的自旋极化电荷俘获与转移
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v2
摘要
本工作理论展示了在具有反带结构的 HgTe/CdTe 量子阱（QW）上由双拓扑绝缘体收缩结构（TIC）形成的载流子俘获单元。将 HgTe/CdTe 量子阱样品图案化为霍尔棒器件，并通过在量子阱上紧密添加分裂栅电极来创建拓扑量子点。与常规半导体量子点形成鲜明对比的是，在所提出的量子霍尔棒系统中，拓扑边缘态的存在与否导致 TIC 呈现具有大开关比的不同传播/绝缘状态。该拓扑量子点通过适当调节施加于分裂栅的电压，用作具有近乎完美的编程/擦除效率的载流子俘获存储元件。为完整起见，我们还证明了量子点中的 Rashba 自旋轨道相互作用不会破坏拓扑边缘态，且对量子霍尔棒的电导影响可忽略。在量子点中施加垂直磁场可抑制电导中的快速振荡。
引用
@article{arxiv.1607.05821,
title = {Spin polarized Charge Trapping and Transfer at a HgTe Topological Insulator Quantum Dot},
author = {L. Z. Lin and Zhenhua Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05821},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures