量子自旋霍尔候选材料单层 1T'-WTe$_2$ 中库仑能隙的观测
介观与纳米尺度物理
2018-10-24 v1 材料科学
摘要
二维拓扑绝缘体 (2DTI) 在体带中具有由自旋轨道耦合 (SOC) 效应引起的完全能隙，同时具有拓扑保护的无能隙边缘态。然而，SOC 诱导的能隙通常很小，抑制体电导从而实现量子自旋霍尔 (QSH) 效应具有挑战性。在本研究中，我们发现了一种有效抑制体电导的新机制。利用准粒子干涉 (QPI) 技术和扫描隧道谱 (STS)，我们证明 QSH 候选材料单层 1T'-WTe 具有无完全 SOC 诱导能隙的半金属体带结构。令人惊讶的是，在这个二维系统中，我们发现电子相互作用打开了一个始终钉扎在费米能级 (E) 的库仑能隙。库仑能隙的打开能有效减少 E 处的体态，有利于观测拓扑边缘态的量子化电导。
引用
@article{arxiv.1711.07286,
title = {Observation of Coulomb gap in the quantum spin Hall candidate single-layer 1T'-WTe$_2$},
author = {Ye-Heng Song and Zhen-Yu Jia and Dongqin Zhang and Xin-Yang Zhu and Zhi-Qiang Shi and Huaiqiang Wang and Li Zhu and Qian-Qian Yuan and Haijun Zhang and Dingyu Xing and Shao-Chun Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07286},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 4 figures