III-V 族半导体量子阱中的无质量狄拉克费米子
介观与纳米尺度物理
2019-03-27 v2 材料科学
摘要
我们报道了基于 III-V 族半导体的二维系统中无质量狄拉克费米子的明确证据。利用制作在三层 InAs/GaSb/InAs 量子阱上的栅控霍尔条，我们通过磁输运恢复了朗道能级扇图，并明确展示了样品中的无带隙态。在不同电子浓度下对回旋共振的测量直接表明了布里渊区 点处的线性能带交叉。在类狄拉克解析哈密顿量框架内对实验数据的分析，不仅使我们确定了无质量狄拉克费米子的速度 m/s，也展示了高能下的显著非线性色散。
引用
@article{arxiv.1812.02468,
title = {Massless Dirac fermions in III-V semiconductor quantum wells},
author = {S. S. Krishtopenko and W. Desrat and K. E. Spirin and C. Consejo and S. Ruffenach and F. Gonzalez-Posada and B. Jouault and W. Knap and K. V. Maremyanin and V. I. Gavrilenko and G. Boissier and J. Torres and M. Zaknoune and E. Tournié and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.02468},
year = {2019}
}
备注
Main text and Supplemental Materials, 14 pages, 9 figures