高朗道能级下边缘通道的量子化逃逸与形成
介观与纳米尺度物理
2012-12-11 v1
摘要
我们展示了在超高迁移率二维电子气中的非局域电阻测量。我们的实验表明，即使在弱磁场下，沿边缘的经典引导也会在宏观距离上产生强烈的非局域电阻。在这种高朗道能级区域，沿边缘的输运是耗散的，并且可以通过沿边缘电压降的幅度来控制。我们报告了作为该电压函数的非局域输运中的共振现象，这些共振被解释为边缘通道的逃逸与形成。
引用
@article{arxiv.1212.2026,
title = {Quantized escape and formation of edge channels at high Landau levels},
author = {A. D. Chepelianskii and J. Laidet and I. Farrer and D. A. Ritchie and K. Kono and H. Bouchiat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2026},
year = {2012}
}