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石墨烯第零朗道能级中的能隙打开

介观与纳米尺度物理 2009-12-01 v1 材料科学

摘要

我们在高达30 T的强磁场下,测量了石墨烯电荷中性点处低温电阻率 ρxx\rho_{xx} 的显著增加以及霍尔电导率 σxy\sigma_{xy} 的零值平台。我们通过一个简单模型解释了我们的结果,该模型涉及最低朗道能级的一个场依赖分裂,其量级为几开尔文,这是从激活输运测量中提取的。该模型用共存的电子和空穴在同一自旋分裂的零能朗道级中,重现了 ρxx\rho_{xx} 的增加和 σxy\sigma_{xy} 中异常的 ν=0\nu=0 平台。

关键词

引用

@article{arxiv.0904.0948,
  title  = {Gap opening in the zeroth Landau level of graphene},
  author = {A. J. M. Giesbers and L. A. Ponomarenko and K. S. Novoselov and A. K. Geim and M. I. Katsnelson and J. C. Maan and U. Zeitler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0904.0948},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 3 figures