口袋掺杂法提升石墨烯纳米带隧穿场效应晶体管性能
介观与纳米尺度物理
2013-12-13 v1
摘要
基于扶手椅型石墨烯纳米带的隧穿场效应晶体管，利用基于三维实空间非平衡格林函数形式的弹道量子输运模拟进行了研究。通过在源极附近引入口袋掺杂区域，与传统隧穿场效应晶体管相比，GNRs TFET 的性能在更大的导通电流和更陡峭的亚阈值摆幅方面得到了提升。研究还发现，口袋区域引入了两个有趣的特征。通过增加口袋长度，可以有效抑制双极性效应。此外，由于共振，在负栅极电压下出现了负跨导。
引用
@article{arxiv.1312.3390,
title = {Pocket doping method on Improving the Performance of Graphene Nanoribbons Tunneling FET},
author = {Fei Liu and Yahua Peng and Xiaoyan Liu and Jinfeng Kang and Yi Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3390},
year = {2013}
}
备注
3 pages,4 figures