单轴应变对石墨烯纳米带共振隧穿晶体管的影响
介观与纳米尺度物理
2019-01-07 v2
摘要
采用最近邻紧束缚模型和非平衡格林函数形式，数值模拟了单轴应变对典型扶手椅型石墨烯纳米带-hBN 异质结构器件电流-电压特性的影响。模拟清晰地揭示了以下显著依赖关系：(i) 应变总是使电流减小；(ii) 与未应变状态相比，沿扶手椅方向施加的应变使电流主峰在更大的偏置电压区域内明显展宽；(iii) 当应变沿扶手椅方向而非锯齿方向施加时，电流下降更快。
引用
@article{arxiv.1812.09524,
title = {Uniaxial Strain Effects on Graphene Nanoribbon Resonant Tunneling Transistors},
author = {Mahmood Akbari and Alireza Baghai-Wadji and Razieh Morad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.09524},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 6 figures