氮化镓场效应管模型
应用物理
2019-09-13 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种基于物理的 GaN 功率 FET 解析紧凑模型，可准确描述所有工作模式下的 I-V 特性。该模型考虑了源漏电阻、不同的界面陷阱密度以及自热效应。
引用
@article{arxiv.1909.05702,
title = {Gallium Nitride FET Model},
author = {G. I. Zebrev and V. V. Orlov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.05702},
year = {2019}
}
备注
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 5 pages, 2 figures