基于微控制器的 GaN 与 SiC 器件表征便携式测量系统
系统与控制
2023-06-08 v1 系统与控制
仪器与探测器
摘要
本工作的目的是设计和实现一个嵌入式系统,能够在宽频率范围内表征氮化镓和碳化硅晶体管的一些相关品质因数。具体而言,所设计的系统侧重于测量在开关操作期间涉及功率损耗现象和器件可靠性的参数。低成本微控制器单元的使用和等效时间采样技术均有助于使测量系统灵活、经济且具备增强的采样性能。因此,对不同的 GaN 和 SiC 器件进行了比较,以表征所测量量相对于开关频率的行为。
引用
@article{arxiv.2306.04020,
title = {Microcontroller Based Portable Measurement System for GaN and SiC Devices Characterization},
author = {Alberto Vella and Giuseppe Galioto and Giuseppe Costantino Giaconia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.04020},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 3 figures