外电场对含镓超导纳米析出物硅的影响
应用物理
2020-06-15 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
受集成超导元件的纳米电子电路潜在变革性应用的驱动，以及将这些元件集成于硅材料平台的优势所启发，我们研究了经镓离子注入的硅的超导特性。此处我们测量了 40 个不同样品，探究了多种制备方法（得到超导与非超导样品），以及其中一种可制得超导样品的制备方法的重复性。虽然我们发现与现有文献一致，即该系统可见超导效应，但我们也发现该超导性不受施加于顶栅的电压影响。在该材料体系中，对于高达 8 MV/cm 的施加电场，超导性不可被栅极调控。我们还给出了部分已进行电子表征的相同样品的扫描透射电子显微镜成像结果。与现有文献一致，我们发现 Ga 析出物的存在对这些样品中超导转变的出现至关重要。然而，我们也发现了该系统存在较大不均匀性的证据，并结合此处报道的不可栅极调控性进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1911.06931,
title = {The effect of external electric fields on silicon with superconducting gallium nano-precipitates},
author = {Brandur Thorgrimsson and Thomas McJunkin and E. R. MacQuarrie and S. N. Coppersmith and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.06931},
year = {2020}
}
备注
22 pages, 6 figures