利用聚焦离子束对镓辐照超导硅进行无掩模图形化
应用物理
2020-06-18 v1 超导电性
摘要
通过聚焦镓离子束，在不使用任何基于掩模的光刻工艺的情况下，建立了一种对镓辐照超导硅进行直接图形化的技术。在自场和高达 7 T 的磁场下，对镓辐照硅的线状与方形状图形进行了电输运测量。两种图形均在 7 K 温度下观察到尖锐的超导转变。线状图形表现出高于 10 K 的更高起始温度特征。通过制备具有不同剂量的多种样品，研究了获得超导镓辐照硅所需的临界剂量。该技术可用作超导器件的简易制备方法。
引用
@article{arxiv.1908.09272,
title = {Mask-less Patterning of Gallium-irradiated Superconducting Silicon Using Focused Ion Beam},
author = {Ryo Matsumoto and Shintaro Adachi and El Hadi S. Sadki and Sayaka Yamamoto and Hiromi Tanaka and Hiroyuki Takeya and Yoshihiko Takano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09272},
year = {2020}
}