门控钛与钒全金属超电流纳米晶体管中的相位滑移动力学:综述
超导电性
2021-10-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近期在金属元素超导体中展示了静电门控效应,体现为超导量子干涉仪中开关电流的调制与电流相位关系的控制。后者暗示超导体中的宏观量子相位与所加门电压之间存在直接联系。开关电流累积概率分布(SCCPD)的测量是分析此种关系的便捷而有力的工具。特别地,传统 Kurkijarvi-Fulton-Dunkleberger 模型与门驱动分布之间的比较,为门控效应的微观起源提供了有益见解。本综述中,我们总结了在 20 mK 至 3.5 K 宽温区内分析元素门控超导弱连接中相位滑移事件的主要结果。如此大的温度范围既表明门控效应随温度升高而稳健,也表明电场诱导的涨落在宽温区内不可忽略。
引用
@article{arxiv.2102.10699,
title = {Phase slips dynamics in gated Ti and V all-metallic supercurrent nano-transistors: a review},
author = {Claudio Puglia and Giorgio De Simoni and Francesco Giazotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.10699},
year = {2021}
}