栅极诱导电场对半导体马约拉纳纳米线的影响
介观与纳米尺度物理
2018-08-15 v2
摘要
我们研究栅极诱导电场对半导体-超导体混合纳米线性质的影响,该类纳米线是实现拓扑超导与马约拉纳零模的一个有前景的平台。使用一种将半导体与超导体平等描述的自我一致薛定谔-泊松方法,我们能够进入强隧穿 regime 并识别所施加栅极电压对半导体与超导体之间耦合的影响。我们讨论了诸如半导体中诱导的超导能隙和朗德 g 因子等物理参数如何通过在施加外部栅极电压时跨界面重新分布态密度而被修正。最后,我们绘制了 InAs/Al 纳米线作为磁场与栅极电压函数的拓扑相图。
引用
@article{arxiv.1801.02616,
title = {Effects of gate-induced electric fields on semiconductor Majorana nanowires},
author = {Andrey E. Antipov and Arno Bargerbos and Georg W. Winkler and Bela Bauer and Enrico Rossi and Roman M. Lutchyn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02616},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 16 figures; added section "Effect of disorder in SC-SM heterostructures"