半导体Majorana纳米线中的逆邻近效应

我们研究了逆邻近效应对由半导体纳米线与超导薄膜接触形成的混合结构中超导核的影响，并讨论了由此对基于Majorana器件运行造成的限制。进入半导体的电子产生的强顺磁效应，连同自旋轨道耦合和纳米线电子态密度中的van Hove奇点，导致了低场域内超导关联的抑制，以及拓扑非平庸区高磁场下超导性的重现。在后一种情况下，临界温度的增长持续到上临界场，该上临界场由于轨道机制或顺磁机制破坏了超导薄膜内的配对。在拓扑与非拓扑区边界附近，均匀超导态的抑制为Fulde-Ferrel-Larkin-Ovchinnikov不稳定性提供了有利条件。