类锗外延二极管的实用理论模型：I. 其 I-V 特性
材料科学
2023-11-02 v1
摘要
提出了一个实用定量模型，用以解释基于外延类锗材料的 pin 二极管的 I-V 特性。该模型可用于量化不同材料特性与复合机制如何影响二极管性能。详细讨论了位错、未钝化缺陷以及残余本征层掺杂在决定 I-V 曲线定性形状方面的重要性。文中给出了涵盖文献二极管以及为验证该理论工作而制备的二极管的示例。
引用
@article{arxiv.2311.00198,
title = {A practical theoretical model for Ge-like epitaxial diodes: I. The I-V characteristics},
author = {Matthew A. Mircovich and John Kouvetakis and José Menéndez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.00198},
year = {2023}
}
备注
18 pages. This article has been submitted to the Journal of Applied Physics. After it is published, it will be found at https://pubs.aip.org/aip/jap