分子晶体管中的耗散隧穿与正交灾变
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
考虑通过与导体之间的微弱隧穿耦合但与单个振动模态强耦合的分子器件，讨论当该振动因与环境的耦合而受到阻尼的情况。特别地，我们研究了分子上电荷与环境振动模式之间静电耦合对I-V特性的影响。我们发现，当范德华相互作用尺度与分子与环境振动模式之间静电相互作用尺度相当时，I-V特性从正交灾变所预期的行为中被质变为在导电开始时出现阶梯状突变。对于尺度非常不同的情形，我们恢复与之前结果一致的耗散行为，后者意味着正交灾变的出现，将静电力建模为作用于分子与基片组成的系统的外部影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0401347,
title = {Dissipative tunneling and orthogonality catastrophe in molecular transistors},
author = {Stephan Braig and Karsten Flensberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0401347},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 4 figures, REVTeX 4; corrected typos, added journal refs., added content in Sec. IV