SiO2覆盖Si衬底上拓扑绝缘体Bi2Te3五层结构的可视化及其衬度优化
介观与纳米尺度物理
2012-07-17 v2 材料科学
摘要
在SiO2覆盖的Si衬底上，通过光学方法可视化了薄至3个五层结构的Bi2Te3薄片。它们的光学衬度随照明波长、薄片厚度和覆盖层而变化。最大衬度出现在优化后的570nm波长光照下。当薄片厚度减少到20个五层结构以下时，衬度发生反转。基于菲涅耳定律的计算描述了上述观察结果，并构建了层数-波长-衬度三维图和覆盖层厚度-波长-衬度三维图，适用于当前拓扑绝缘体薄片的研究。
引用
@article{arxiv.1008.5230,
title = {Visualizing topological insulating Bi2Te3 quintuple layers on SiO2-capped Si substrates and its contrast optimization},
author = {Zhaoguo Li and Yuyuan Qin and Yuewen Mu and Taishi Chen and Changhui Xu and Longbing He and Wangfeng Ding and Jianguo Wan and Fengqi Song and Min Han and Guanghou Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.5230},
year = {2012}
}
备注
in press,2010