Bi2Te3柯林博纳纳片板的几何可调磁边缘对比

二维拓扑绝缘体具有对无序抗性强的螺旋边缘态，使其成为节能电子和量子信息技术的理想对象。本研究开发了Te棒模板 solution 生长方法，以创建具有柯林博几何的Bi2Te3纳米片。结果得到的少量五层六方形板片为单晶，且包含明确的中心孔。使用优化后的磁力学显微镜，我们观察到内外边缘处具有清晰的磁对比。该信号严重取决于针尖高度和振荡幅度，从而允许我们区分真正的磁响应与静电和拓扑效应。通过系统地变化孔径大小，我们发现边缘对比度随着边缘之间距离的减小而增大，表明内外边缘通道之间的耦合更强。这些发现为Bi2Te3中边缘局部磁行为的几何控制平台建立了基础，为探索二维拓扑绝缘体中的边缘相互作用开辟了新道路。