陈绝缘体 k.p 哈密顿量的拓扑分类
介观与纳米尺度物理
2015-03-26 v1
摘要
我们证明了陈绝缘体的低能 k.p 哈密顿量存在两种不同的拓扑类。利用单谷两带模型的范例，我们表明我们称之为局部的 k.p 哈密顿量具有精确对应于霍尔电导的拓扑不变量，以及在展开点处线性色散的手性带隙中间边缘态。非局部的 k.p 哈密顿量具有为系统霍尔电导两倍的拓扑不变量。该类以非局部的体-边对应关系为特征，其带隙中间边缘态出现在高对称性 k.p 展开点之外。
引用
@article{arxiv.1503.07456,
title = {Topological classification of k.p Hamiltonians for Chern insulators},
author = {Frank Kirtschig and Jeroen van den Brink and Carmine Ortix},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07456},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures