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GSp4的晶体表示中的p进Hodge参数

数论 2025-12-08 v1 表示论

摘要

本文将Y.Ding的工作推广到 GSp4(Qp)\mathrm{GSp}_4(\mathbb{Q}_p) 的情形,其中 pp 为奇素数。设 ρ\rho 为绝对Galois群 Qp\mathbb{Q}_p 上的一个4维、一般、非临界、具正则Hodge-Tate权的晶体表示,取值于 GSp4(E)\mathrm{GSp}_4(E),其中 EEQp\mathbb{Q}_p 的有限扩张。我们为 ρ\rho 关联一个显式的局部解析 EE-表示 πmin(ρ)\pi_\mathrm{min}(\rho),该表示属于 GSp4(Qp)\mathrm{GSp}_4(\mathbb{Q}_p),且包含足以确定 ρ\rho 的充分信息。此外,在某些设定下,该构造遵循局部-全局相容性。

关键词

引用

@article{arxiv.2512.05275,
  title  = {p-adic Hodge parameters in the crystalline representations of GSp4},
  author = {Xiaozheng Han},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2512.05275},
  year   = {2025}
}