GSp4的晶体表示中的p进Hodge参数
数论
2025-12-08 v1 表示论
摘要
本文将Y.Ding的工作推广到 的情形,其中 为奇素数。设 为绝对Galois群 上的一个4维、一般、非临界、具正则Hodge-Tate权的晶体表示,取值于 ,其中 为 的有限扩张。我们为 关联一个显式的局部解析 -表示 ,该表示属于 ,且包含足以确定 的充分信息。此外,在某些设定下,该构造遵循局部-全局相容性。
引用
@article{arxiv.2512.05275,
title = {p-adic Hodge parameters in the crystalline representations of GSp4},
author = {Xiaozheng Han},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.05275},
year = {2025}
}