4维 $\mathcal{N}=4$ SYM 中 $\frac{1}{16}$-BPS 指标的增长

Sameer Murthy

4维 $\mathcal{N}=4$ SYM 中 $\frac{1}{16}$-BPS 指标的增长

高能物理 - 理论 2020-09-28 v2

作者: Sameer Murthy

摘要

我们对4维 $\mathcal{N}=4$ U(N) 超杨-米尔斯（SYM）理论中 $\frac{1}{16}$ -BPS 算符的哈密顿指标在 $N=2\,,\dots,10$ 时进行了数值研究。我们表明，大电荷渐近行为与类Cardy极限下的解析结果一致，这与对偶AdS中超对称黑洞的熵相符。该数值结果也与大N解析结果一致，从而为该指标的精确公式提供了线索。随后，我们利用表示论的思想证明：对于小于 2(N+1) 的电荷值（以整数单位量子化），该指标与多引力子指标精确一致，并在更大电荷时开始偏离。因此，U(N) SYM指标在小电荷时介于多引力子值与大电荷时黑洞增长之间。

关键词

BPS指标超杨-米尔斯 AdS/CFT 黑洞熵表示论多引力子

引用

@article{arxiv.2005.10843,
  title  = {The growth of the $\frac{1}{16}$-BPS index in 4d $\mathcal{N}=4$ SYM},
  author = {Sameer Murthy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10843},
  year   = {2020}
}

备注

18 pages, 4 figures, 2 tables; v2: typos corrected, statements sharpened

4维 $\mathcal{N}=4$ SYM 中 $\frac{1}{16}$-BPS 指标的增长

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关键词

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