α-In2Se3的光电性质：从单层到块体
材料科学
2022-03-17 v2 光学
摘要
本工作中，我们报道了化学生长的层状（从1到37个五重层）及块体α-In2Se3样品在1.0–4 eV光子能量范围内的线性和非线性光谱测量，并与包含能带结构和G0W0计算的从头算密度泛函理论计算进行比较。
引用
@article{arxiv.1911.01784,
title = {Opto-electronic properties of alpha-In2Se3: single-layer to bulk},
author = {Yujin Cho and Sean M. Anderson and Bernardo S. Mendoza and Shun Okano and Ramon Carriles and N. Arzate and Anatoli I. Shkrebtii and Di Wu and Keji Lai and D. R. T. Zahn and M. C. Downer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.01784},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 7 figures