非晶和多晶In2Se3薄膜的结构与电子性质
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
测量了非晶和单相多晶γ-和κ-In2Se3薄膜的结构与电子性质。稳定的γ相在薄膜体相中均匀成核，具有高电阻率；而亚稳的κ相在薄膜表面成核，具有中等电阻率。热沉积和后退火的冷沉积γ薄膜的微观结构差异很大，但电子性质相似。非晶In2Se3薄膜退火后电阻率增加，这被解释为结晶过程中In-In键被In-Se键取代。在制备用于电学测量的In2Se3薄膜时必须格外小心，因为过量硫族元素的存在或表面氧化可能极大地影响薄膜性能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303369,
title = {Structural and Electronic Properties of Amorphous and Polycrystalline In2Se3 Films},
author = {A. Chaiken and K. Nauka and G. A. Gibson and Heon Lee and C. C. Yang and J. Wu and J. W. Ager and K. M. Yu and W. Walukiewicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303369},
year = {2009}
}
备注
23 pages and 12 figures